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2025北京半导体材料展:前沿科技与产业生态全景

发布时间:2025-6-3 17:08    发布者:c1426886954
关键词: 北京半导体展
日期:2025-11-23
地点:北京国际会议中心
网址:
2025年11月23日至25日,北京国家会议中心将迎来全球半导体行业的焦点盛会——中国国际半导体博览会(ICCHINA)。作为中国半导体行业协会主办的权威展会,本届展览会以“集合全行业资源·成就大产业对接”为主题,全面展示半导体设备、材料及第三代半导体的前沿技术与产业生态。
第三代半导体:重塑未来科技格局以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料成为展区亮点。与传统硅基半导体相比,这些材料具有高压、高频、高温和高效率的颠覆性性能,正在重塑新能源、5G通信、电动汽车、工业电源等关键领域的技术格局。展会将首次展示8英寸SiC晶圆量产技术,以及面向超高压电网的20kV SiC MOSFET,标志着行业从“实验室”迈向“规模化”的关键拐点。
展出范围与技术亮点
  • 芯片设计/晶圆制造展区集成电路设计及芯片、EDAMCU、晶圆制造与设备及零部件等;
  • Chiplet与先进封装展区:Chiplet、SiP封装、晶圆级封装(WLP)、3D封装等;
  • 半导体专用设备/零部件展区:光刻机、刻蚀机、离子注入设备、CVD/PVD设备等;
  • 先进材料/碳材料/金刚石半导体展区:硅片及硅基材料、光刻胶及其配套试剂、碳基材料、金刚石半导体等;
  • 第三代半导体展区:氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(Zno)金刚石、晶圆、衬底与外延等。
技术趋势:从纳米到原子级的制造革命光刻技术突破成为本次展会的焦点之一。阿斯麦(ASML)将展示High-NA EUV光刻机量产进展,推动2nm以下制程规模化生产;上海微电子则有望发布SSX800系列光刻机,加速成熟制程国产化。原子层沉积(ALD)技术也迎来升级,应用材料、东京电子等巨头将推出多材料堆叠ALD技术,助力3D NAND迈向500层时代。
中国企业:从跟跑到领跑中国厂商在本次展会上的突破值得期待。中芯国际将首发国产8英寸SiC生产线技术,打破海外垄断;三安光电展示全球首款1200V GaN-on-Si汽车芯片;华为则推出支持6G太赫兹频段的“天罡2.0”射频芯片。这些成果彰显了中国在半导体材料领域的快速进步。
绿色制造与供应链重构响应全球低碳转型需求,展会将呈现全球首台零碳足迹刻蚀机,结合AI动态能耗调节技术。在地缘政治背景下,供应链本土化成为焦点,北方华创、中微半导体等中国企业将展示全链条国产设备,覆盖刻蚀、薄膜沉积等关键环节。
互动体验与技术交流为提升观展体验,组委会设计了多项互动环节:VR模拟SiC晶圆制造流程、GaN快充拆解实验室等沉浸式体验。同期将举办多场高峰论坛,包括“第三代半导体与碳中和”“GaN射频前沿”等主题,汇聚IEEE专家与行业领袖。
2025北京半导体材料展览会不仅是技术展示的舞台,更是全球产业链重构的起点。从材料创新到设备革新,从本土化布局到绿色转型,这场盛会将为从业者、投资者与科技爱好者揭开半导体产业未来十年的发展蓝图。
展位申请:企业可预订展位展示技术(需提前联系主办方预留黄金展位)


参展报名:张主任185 3830 4525同微信

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