中韩科学家联手，锡基钙钛矿晶体管性能大突破
发布时间：2025-5-9 16:14
发布者：eechina
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韩国浦项科技大学与中国电子科技大学的研究团队合作开发了一项突破性技术，通过气相沉积法制备高性能锡基钙钛矿半导体，为下一代显示器和电子器件的发展提供了新方向。相关成果发表于《自然·电子学》（Nature Electronics）。 晶体管是电子设备的核心组件，分为n型和p型两类。尽管n型晶体管性能更优，但p型晶体管的效率提升对实现低功耗高速计算至关重要。传统锡基钙钛矿材料依赖溶液法制备，存在可扩展性和一致性不足的问题。 研究团队采用热蒸发技术（广泛应用于OLED电视和半导体芯片制造），成功制备出高质量的铯锡碘（CsSnI3）半导体薄膜。通过添加少量氯化铅（PbCl2），进一步优化了薄膜的均匀性和结晶度。最终制得的p型晶体管性能显著提升，空穴迁移率超过30 cm2/V·s，开关电流比达到10⁸，性能与商用n型氧化物半导体相当，能够实现快速信号处理和低功耗运行。 这项技术不仅解决了溶液法的局限性，还具备与现有OLED生产设备的兼容性，为大规模制造低成本、高性能电子器件奠定了基础。其低温加工特性（低于300℃）尤其适合柔性显示器、可穿戴设备等应用场景。 《每日科学》网站（www.sciencedaily.com） |
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