MOSFET晶体管IPC100N04S5L-1R5——STM8S105K4T6C（微控制器MCU）LPC1765FBD100

Mingjiada

【供应，回收】IPC100N04S5L-1R5汽车MOSFET晶体管——STM8S105K4T6C（微控制器MCU）LPC1765FBD100，明佳达（星际金华）长期供求原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！

一、IPC100N04S5L-1R5：40V，OptiMOS™-5 汽车MOSFET晶体管，PG-TDSON-8
型号：IPC100N04S5L-1R5
封装：PG-TDSON-8
类型：汽车MOSFET晶体管
IPC100N04S5L-1R5——产品属性：
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5340 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：115W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8-34
封装/外壳：8-PowerTDFN

二、STM8S105K4T6C：16MHz，8位微控制器IC，LQFP-32
型号：STM8S105K4T6C
封装：LQFP-32
类型：8位微控制器IC
STM8S105K4T6C——产品属性：
核心处理器：STM8
内核规格：8 位
速度：16MHz
I/O 数：25
程序存储容量：16KB（16K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：1K x 8
RAM 大小：2K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.95V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 7x10b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-LQFP

三、LPC1765FBD100：100MHz，32位单核 ARM® Cortex®-M3 微控制器IC，LQFP-100
型号：LPC1765FBD100
封装：LQFP-100
类型：32位单核微控制器IC
LPC1765FBD100——产品属性：
核心处理器：ARM® Cortex®-M3
内核规格：32 位单核
速度：100MHz
I/O 数：70
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.4V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 8x12b; D/A 1x10b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-LQFP（14x14）

明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装器件：IPC100N04S5L-1R5汽车MOSFET晶体管——STM8S105K4T6C（微控制器MCU）LPC1765FBD100，如有需求，欢迎联络我们！