东芝推出符合AEC-Q100标准的车载标准数字隔离器

发布时间:2025-2-28 18:00    发布者:eechina
关键词: 数字隔离 , DCM34
-利用高共模瞬态抑制和高速数据信息通信实现稳定运行-

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出东芝首批面向车载应用的4通道高速标准数字隔离器产品线——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件,具有100 kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抑制(CMTI)和50 Mbps(最大值)[2]的高速数据传输速率,支持稳定运行。所有器件均符合面向车载电子组件安全性和可靠性的AEC-Q100标准。该系列10款产品于今日开始支持批量出货。

image001.jpg

为了确保混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)中使用的车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)的安全性和可靠性,需要能够确保隔离并防止噪声传播的器件。车载标准数字隔离器可为当前隔离设备所需的多通道高速通信和高CMTI提供解决方案。

新的隔离器采用东芝专有的磁耦合隔离传输方式,以实现100 kV/μs(典型值)的高CMTI。这不仅实现隔离信号传输中输入和输出间电气噪声的高容限,还确保了稳定的控制信号传输,有助于设备的稳定运行。此外,这些新产品还具有0.8 ns(典型值)[2]的低脉宽失真和50 Mbps(最大值)的数据传输速率,适用于多通道高速通信应用,例如具备SPI通信的I/O接口。

东芝的工业标准数字隔离器产品现已量产,目前其产品线扩展至车载设备领域。未来,东芝将增加这两个领域产品的封装类型和通道数量,并将继续提供高质量隔离器件和光耦,以支持车载设备所需的可靠性和实时数据传输。

        应用:
车载设备
-        电池管理系统(BMS)
-        车载充电器(OBC)
-        逆变器控制

        特性:
-        高共模瞬态抑制:CMTI=100 kV/μs(典型值)[1]
-        高速数据速率:tbps=50 Mbps(最大值)[2]
-        低脉宽失真:PWD=0.8 ns(典型值)
-        四通道支持(请参见具体器件的主要规格):
正向四通道,反向零通道;正向三通道,反向一通道;正向两通道,反向两通道

        主要规格:
(除非另有说明,Topr=–40 °C至125 °C)

器件型号
DCM341L01DCM341A01DCM341B01
通道数
4
(正向:反向)
(3:1)
默认输出逻辑
使能控制
输出使能
输入禁用
封装
SOIC16-W
绝对最大额定值
工作温度Topr(°C)
–40至125
存储温度Tstg(°C)
–65至150
隔离电压t=1分钟,Ta=25 °C最小值
5000
BVS(Vrms)
电气特性共模瞬态抑制VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,典型值
100
CMTI(kV/μs)VCM=1500 V
数据速率VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V最大值
50
tbps(Mbps)
脉宽失真典型值
0.8
PWD(ns)
传输延迟时间
10.9
tPHL、tPLH(ns)
库存查询与购买
在线购买在线购买在线购买


(除非另有说明,Topr=–40 °C至125 °C)
器件型号
DCM340C01DCM340D01DCM340L01DCM340H01
通道数
4
(正向:反向)
(4:0)
默认输出逻辑
使能控制
输出使能
封装
SOIC16-W
绝对最大额定值
工作温度Topr(°C)
–40至125
存储温度Tstg(°C)
–65至150
隔离电压t=1分钟,Ta=25 °C最小值
5000
BVS(Vrms)
电气特性共模瞬态抑制VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V典型值
100
CMTI(kV/μs)
数据速率VDD1=VDD2=4.5 V至5.5V最大值
50
tbps(Mbps)
脉宽失真典型值
0.8
PWD(ns)
传输延迟时间
10.9
tPHL、tPLH(ns)
库存查询与购买
在线购买在线购买在线购买在线购买


(除非另有说明,Topr=–40 °C至125 °C)
器件型号
DCM342H01
通道数
4
(正向:反向)
(2:2)
默认输出逻辑
使能控制
输出使能
封装
SOIC16-W
绝对最大额定值
工作温度Topr(°C)
–40至125
存储温度Tstg(°C)
–65至150
隔离电压t=1分钟,Ta=25 °C最小值
5000
BVS(Vrms)
电气特性共模瞬态抑制VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V典型值
100
CMTI(kV/μs)
数据速率VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V最大值
50
tbps(Mbps)
脉宽失真典型值
0.8
PWD(ns)
传输延迟时间
10.9
tPHL、tPLH(ns)
库存查询与购买
在线购买

注:

[1] 测试条件:VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V,Topr=–40 °C至125 °C
[2] 测试条件:VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,Topr=–40 °C至125 °C


本文地址:https://www.eechina.com/thread-882822-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • 深度体验Microchip自动辅助驾驶应用方案——2025巡展开启报名!
  • 利用模拟开发工具生态系统进行安全电路设计
  • 想要避免发生灾难,就用MPLAB SiC电源仿真器!
  • Cortex-M4外设 —— TC&TCC结合事件系统&DMA优化任务培训教程
  • 贸泽电子(Mouser)专区
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表