LMP92066PWPR/DRV10983ZPWPR原理图，IKA15N60T/STGB19NC60KDT4绝缘栅双极晶体管（IGBT）规格
发布时间：2025-1-13 17:45
发布者：Mindy—mjd
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LMP92066PWPR 是一款高度集成的温控型双 DAC。两个 DAC 均可通过存储在内部 EEPROM 中的两个独立的、用户定义的温度-电压转换函数进行编程，从而无需额外的外部电路即可校正任何温度影响。 LMP92066PWPR DAC原理图 
特点 Intermal 12 位温度传感器 精度（- 40°C 至 120°C），+3.2°C EEPROM 中存储两个独立的传输函数 双模拟输出 两个 12 位 DAC 输出范围 0 V 至 5 V 或 0 V 至 5 V 耐高电容负载，高达 10 μF 校准后精度 +2.4 mV（典型值） 输出开/关控制开关时间 50 ns 开关时间 50 ns（典型值） RDSON 5 Q（最大值） IC 接口： 标准和快速 九个可选从机地址 超时功能 VDD 电源范围 4.75 V 至 5.25 V 指定温度范围 - 25°C 至 120°C 工作温度范围 - 40°C 至 125°C 应用 GaN 或 LDMOS PA 偏压控制器 传感器温度补偿 定时电路温度补偿 明佳达LMP92066PWPR DAC、DRV10983ZPWPR BLDC电机驱动器，IKA15N60T/STGB19NC60KDT4绝缘栅双极晶体管（IGBT）。 DRV10983ZPWPR器件是一款具有集成功率 MOSFET 的三相无传感器电机驱动器，可提供高达 2A 的持续驱动电流。该器件专为成本敏感型、低噪声、低外部组件数量 应用而设计低功耗是一个关键问题。该器件采用专有无传感器控制方案来提供持续正弦驱动，可大幅降低换向过程中通常会产生的纯音。该器件的接口设计简单而灵活。可直接通过 PWM、模拟、或 I2C 输入控制电机。可通过 FG 引脚或 I2C 提供电机速度反馈。 DRV10983ZPWPR器件安全功能包括 一个集成降压稳压器，可高效地将电源电压降至 5V 或 3.3V，从而为内外部电路供电。该器件提供睡眠模式和待机模式两种型号，可在电机停止运转时实现节能。待机模式 (3mA) 型号会使稳压器保持运行，而休眠模式 (180μA) 型号会使稳压器停止工作。在使用稳压器 为外部 微控制器供电的应用中使用待机模式型号。 特性 输入电压范围：8 至 28V 总驱动器 H + L rDS(on)：250mΩ 驱动电流：2A 持续绕组电流（峰值 3A） 无传感器专有反电动势 (BEMF) 控制方案 连续正弦 180° 换向 无需外部感测电阻 用户可通过添加外部感应电阻以灵活监视为电机提供的功率 灵活的用户接口选项： I2C 接口：访问命令和反馈寄存器 专用的 SPEED 引脚：接受模拟或 PWM 输入 专用的 FG 引脚：提供 TACH 反馈 可通过 EEPROM 定制旋转曲线 使用 DIR 引脚进行正向/反向控制 集成了降压稳压器，可高效地为内部和外部电路提供电压 (5V 或 3.3V) 电源电流为 3mA 待机型号 (DRV10983) 电源电流为 180 μA 睡眠型号 (DRV10983Z) 过流保护 锁定检测 电压浪涌保护 欠压闭锁 (UVLO) 保护 热关断保护 耐热增强型 24 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) 应用 • 设备风扇 • 制热、通风与空调控制 (HVAC) DRV10983ZPWPR BLDC 电机驱动器原理图 
IKA15N60T是一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），属于 TRENCHSTOP™ 系列。该芯片集成了一个 600V、15A 的 IGBT 和一个反向并联的快速恢复发射极控制二极管，采用 TO-220 Full-Pak 封装。 参数 集电极-发射极电压：600V 直流集电极电流：15A（TC = 25°C），10.6A（TC = 100°C） 脉冲集电极电流：45A 二极管正向电流：17.2A（TC = 25°C），10.8A（TC = 100°C） 二极管脉冲电流：45A 栅极-发射极电压：±20V 短路耐受时间：5μs（VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C） 最大功耗：35.7W（TC = 25°C） 工作结温：-40°C 至 +175°C 存储温度：-55°C 至 +150°C 隔离电压：2500Vrms 特点 非常低的 VCEsat：1.5V（典型值） 低开关损耗 易于并联开关：由于 VCEsat 的正温度系数 非常软、快速恢复的反向并联发射极控制二极管 高鲁棒性，温度稳定的行为 低电磁干扰（EMI） 低栅极电荷 参数分布非常紧密 应用 空调 逆变器 STGB19NC60KDT4是一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），属于 600V IGBT with Trench Technology 系列。该芯片集成了一个 600V、20A 的 IGBT 和一个反向并联的快速恢复二极管，采用 D2PAK 封装。这些器件是采用先进的 PowerMESH™ 技术开发的超高速 IGBT。这种工艺保证了开关性能和低导通行为之间的出色权衡。 功能 低导通压降 (VCE(sat)) CRES / CIES 比率低（无交叉传导电感） 短路耐压时间 10 μs 与超高速续流二极管共同封装的 IGBT 规格 产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术: Si 封装 / 箱体: D2PAK-3 安装风格: SMD/SMT 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 2 V 栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V 在25 C的连续集电极电流: 35 A Pd-功率耗散: 125 W 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 集电极最大连续电流 Ic: 35 A 高度: 4.6 mm 长度: 10.4 mm 应用 高频逆变器 电机驱动器 |
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