支持下一代高速接口的低静态电流4通道及6通道开关(安森美)

发布时间:2012-3-29 10:42    发布者:eechina
关键词: SPDT , 单刀双掷 , 开关
安森美半导体(ON Semiconductor)推出两款采用单刀双掷(SPDT)开关配置的新多通道差分开关集成电路(IC),应用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2输入/输出(I/O)信号等高频信号,目标应用包括笔记本、台式计算机、服务器及网络存储设备。

6通道差分SPDT开关NCN3612B由于它的高带宽,支持8 Gbps的数据传输速率。它的导通电容(CON)为2.1 pF(典型值),导通电阻(RDSON)为8 Ω(典型值)。与这器件相辅相成的是同样能支持8 Gbps工作的4通道差分开关NCN3411。NCN3411的导通电容为2 pF(典型值),导通电阻(RDSON)为7.5 Ω(典型值)。这些特性使这两款新器件非常适合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信号路由。

NCN3612B的电源电压范围为3伏(V)至3.6 V,消耗的供电电流仅为250微安(µA)(典型值);而NCN3411的电源电压范围为1.5 V至2.0 V,消耗的供电电流为200 µA。这些新器件的环境工作温度范围为−40 °C至+85 °C

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封装及价格

NCN3612B采用无铅56引脚WQFN (5 mm x 11 mm x 0.75 mm)封装,每2,000片批量的单价为1.30美元。NC3411采用无铅42引脚WQFN (3.5 mm x 9 mm x 0.75 mm)封装,每2,000片批量的单价为1.15美元。
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