电源新技术，TI推出具有集成驱动器的GaN FET: LMG3100R044VBER/LMG3427R030RQZR
发布时间：2024-12-14 18:12
发布者：Mindy—mjd
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本篇文章将要介绍： LMG3100R044VBER 一款具有集成驱动器的 100V 4.4mΩ GaN FET LMG2100R026VBNR 一款100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG3427R030RQZR 一款具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3526R030RQSR 一款具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET 1、LMG3100R044VBER 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续、120V 脉冲、126A 氮化镓 (GaN) FET。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个 LMG3100 器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 特性： 集成了 1.7mΩ GaN FET 和驱动器 100V 连续 120V 脉冲式电压额定值 集成了高侧电平转换和自举 两个 LMG3100 可构成一个半桥 无需外部电平转换器 5V 外部辅助电源 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平 高压摆率开关，低振铃 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动 电源轨欠压锁定保护 低功耗 封装经过优化，便于 PCB 布局 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热 底部大型外露焊盘，实现底面散热 2、明佳达 LMG2100R026VBNR 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 （GaN） FET。该器件由两个 GaN FET 组成，由一个采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器驱动。 特性： 集成半桥 GaN FET 和驱动器 93V 连续，100V 脉冲额定电压 封装经过优化，便于 PCB 布局 高转换速率开关，低振铃 5V 外部偏置电源 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平 栅极驱动器能够实现高达 10MHz 的开关频率 出色的传播延迟（典型值为 33ns）和匹配性（典型值为 2ns） 内部自举电源电压箝位，以防止 GaN FET 过驱 用于锁定保护的电源轨欠压 低功耗 外露顶部 QFN 封装，用于顶部冷却 用于底部冷却的大型 GND 焊盘 3、LMG3427R030RQZR 器件是一款具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET。应用包括： • 开关模式电源转换器 • 商户网络和服务器 PSU • 商用电信整流器 • 太阳能逆变器和工业电机驱动器 • 不间断电源 规格： 开关类型：通用 输出数：1 比率 - 输入:输出：1：1 输出配置：高端 输出类型：P 通道 接口：逻辑，PWM 电压 - 负载：- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：7.5V ~ 18V 电流 - 输出（最大值）：- 导通电阻（典型值）：26 毫欧 输入类型：CMOS 特性：PWM 输入 故障保护：过流，短路，UVLO 工作温度：-40°C ~ 125°C 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：54-VQFN（12x12） 4、LMG3526R030RQSR 器件是一款具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。 特性： 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET 集成高精度栅极偏置电压 200V/ns FET 释抑 23.6MHz 开关频率 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI 在 7.5V 至 18V 电源下工作 强大的保护 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护 硬开关时可承受 720V 浪涌 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护 高级电源管理 数字温度 PWM 输出 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感 有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！ |
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