NOR 存储器：S29GL512S10TFI020，S29JL064J55BHI003，S25FL064LABNFI043

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明佳达，星际金华供求 NOR 存储器：S29GL512S10TFI020，S29JL064J55BHI003，S25FL064LABNFI043


512Mbit 并行 100 ns 56-TSOP S29GL512S10TFI020 FLASH - NOR 存储器 IC

产品描述

S29GL512S10TFI020 具有一个写入缓冲器，允许在一次操作中对最多 256 个字/512 个字节进行编程，从而使有效编程时间比标准编程算法更快。

功能特点

异步读取 32 字节页面

512 字节编程缓冲区

以页面倍数编程，最大可达 512 字节

单字和多字编程选项

S29JL064J55BHI003 64Mbit 并行 55ns NOR 存储器 IC

产品描述

S29JL064J55BHI003 器件可使用标准 3.0 伏 VCC 电源进行系统内编程，也可使用标准 EPROM 编程器进行编程。

特点

数据轮询和切换位

提供检测编程或擦除操作状态的软件方法

解锁旁路编程命令

当发出多个编程命令序列时，可减少整体编程时间

64Mbit 集成电路芯片 S25FL064LABNFI043 FLASH - NOR 存储器 IC 8-USON 封装

产品说明

S25FL064LABNFI043 FL-L NOR 闪存系列采用 65 纳米工艺光刻和浮动栅极技术。FL-L 系列通过串行外设接口 (SPI) 连接到主机系统。FL-L 系列支持传统的 SPI 单位（单 I/O 或 SIO）以及可选的 2 位（双 I/O 或 DIO）。此外，它还支持四位宽四路 I/O (QIO) 和四路外设接口 (QPI) 命令。

功能特点

带多 I/O 的串行外设接口 (SPI)

时钟极性和相位模式 0 和 3

双倍数据速率 (DDR) 选项

四外设接口 (QPI) 选项

扩展寻址： 24 位或 32 位地址选项

串行命令子集和基底面与 S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S 和 S25FS-S SPI 系列兼容

多 I/O 命令子集和基底面与 S25FL-P、S25FL-S 和 S25FS-S SPI 系列兼容