盛美上海推出Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备
发布时间：2024-9-4 09:56
发布者：eechina
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盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）近日宣布成功推出Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备，标志着公司在扇出型面板级封装（FOPLP）领域的技术创新迈出了重要一步。 Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备是盛美上海针对现代电子应用对集成密度、成本效率和设计灵活性日益增长的需求而研发的。该设备采用先进的湿法刻蚀工艺，专为边缘刻蚀和铜残留清除而设计，能够同时处理面板的正面和背面边缘，有效避免电气短路，降低污染风险，并保持后续工艺步骤的完整性。这一创新设计不仅提升了工艺效率，还确保了器件的经久耐用和高质量。 据盛美上海介绍，Ultra C bev-p设备在技术上实现了多项突破。首先，它采用了专为方形面板衬底设计的专利技术，能够精确处理翘曲面板，确保刻蚀工艺仅在边缘区域进行，从而保持整体工艺的完整性和高性能。其次，该设备兼容多种面板材料，包括有机面板、玻璃面板和粘合面板，适用尺寸从510mm x 515mm至600mm x 600mm不等，厚度在0.5mm至3mm之间，可处理最大10mm的翘曲，确保了广泛的适用性和灵活性。 在产能和效率方面，Ultra C bev-p设备同样表现出色。它能够运行多达六个腔体，每小时可处理40个面板（PPH），边缘控制精度达到±0.2mm，控制范围为0-20mm。此外，该设备的平均故障间隔时间（MTBF）长达500小时，正常运行时间高达95%，提供了卓越的可靠性、稳定的性能和高运行效率。 |
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