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明佳达电子，星际金华【供应】【回收】原装库存器件：【MOSFET 晶体管】C3M0045065L，C3M0060065L，IAUC60N04S6N050H，NVMFS5C410NWFAFT1G，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
C3M0045065L：650V 分立式 SiC MOSFET 晶体管
型号：C3M0045065L
封装：TOLL
类型：碳化硅MOSFET 晶体管
一、描述：
C3M0045065L 是650V、45mΩ、49A 分立式碳化硅MOSFET 晶体管，采用TOLL 封装。该器件是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。
二、产品特征：
低导通电阻
低引线电感
低热阻抗
超低反向恢复的快速二极管
高温工作（TJ = 175°C）
C3M0060065L：650V、60mΩ、39A、TOLL 封装、分立式碳化硅 MOSFET 晶体管
型号：C3M0060065L
封装：TOLL
类型：碳化硅 MOSFET 晶体管
一、描述：
C3M0060065L 是采用TOLL 封装的650V 分立式碳化硅 MOSFET 晶体管。该器件是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。
二、产品特点：
低导通电阻
超低反向恢复的快速二极管
高温工作（TJ = 175°C）
低引线电感
低热阻抗
降低开关和传导损耗，提高系统效率
实现高开关频率操作
提高系统级功率密度
减小系统尺寸、重量和冷却要求
支持新的硬开关拓扑结构（图腾极 PFC）
IAUC60N04S6N050H：40V 2N-通道功率 MOSFET晶体管
型号：IAUC60N04S6N050H
封装：TDSON-8
类型：MOSFET晶体管
一、产品属性：
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 个 N 通道（半桥）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1027pF @ 25V
功率 - 最大值：52W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8-57
二、产品特征：
半桥 - N通道 - 增强模式 - 正常电平
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
100% 雪崩测试
OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率 MOSFET晶体管
NVMFS5C410NWFAFT1G：40V N通道 MOSFET 晶体管
型号：NVMFS5C410NWFAFT1G
封装：DFN-5
类型：MOSFET 晶体管
一、描述：
NVMFS5C410NWFAFT1G 是40V N通道 MOSFET 晶体管，采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Ta），300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.92 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），166W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：【MOSFET 晶体管】C3M0045065L，C3M0060065L，IAUC60N04S6N050H，NVMFS5C410NWFAFT1G。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
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发表于 2024-7-8 10:36:10