IPT025N15NM6【OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管】IPTC025N15NM6

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IPT025N15NM6（MOSFET 晶体管）：150V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管 ，PG-HSOF-8
型号：IPT025N15NM6
封装：PG-HSOF-8
类型：N通道功率 MOSFET 晶体管
IPT025N15NM6 - 产品规格：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），263A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 120A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-1
封装/外壳：8-PowerSFN

IPTC025N15NM6：150V OptiMOS™ 6 N-通道功率 MOSFET 晶体管，PG-HDSOP-16
型号：IPTC025N15NM6
封装：PG-HDSOP-16
类型：功率 MOSFET 晶体管
IPTC025N15NM6 - 产品规格：
系列：OptiMOS™ 6
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），264A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 120A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HDSOP-16-2
封装/外壳：16-PowerSOP 模块

明佳达电子，星际金华【供应，回收】IPT025N15NM6（OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管）IPTC025N15NM6。
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