供求：NXH100B120H3Q0PTG【IGBT模块】，IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H，MXB12R600DPHFC【MOSFE 晶体管】

Mingjiada

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：NXH100B120H3Q0PTG【IGBT模块】，IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H，MXB12R600DPHFC【MOSFE 晶体管】。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

NXH100B120H3Q0PTG：1200V 双升压 IGBT 功率模块
型号：NXH100B120H3Q0PTG
封装：模块
类型：IGBT 功率模块
一、描述：
NXH100B120H3Q0PTG 是一款包含双升压级的功率模块。集成的场截止沟道 IGBT 和 SiC 二极管降低了传导损耗和开关损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。
二、产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A
功率 - 最大值：186 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）：200 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：9.075 nF @ 20 V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
三、产品特征：
1200V 超场截止 IGBT
低反向恢复和快速开关 SiC 二极管
1600V 旁路和反并联二极管
低电感布局
可焊接引脚或压配引脚
热敏电阻
带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂 TIM 的选项

IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H：650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管
型号：IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H
封装：TO-247-4
类型：MOSFET 晶体管
一、描述：
IMZA65R015M2H / IMZA65R050M2H 是采用 TO-247-4 封装的碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管，它以第 1 代技术的优势为基础，加快了成本优化、高效、紧凑和可靠解决方案的系统设计。
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：103A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V
功率耗散（最大值）：341W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4
三、产品特征：
优异的性能指标 (FOM)
同类最佳的 RDS(on)
高坚固性和整体质量
灵活的驱动电压范围
支持单极驱动（VGSoff=0）
最佳的抗导通效应
通过 .XT 改进封装互连

MXB12R600DPHFC：600V、功率 MOSFET 晶体管
型号：MXB12R600DPHFC
封装：ISOPLUS i4-PAC™
类型：MOSFE 晶体管
一、描述：
MXB12R600DPHFC 是 600V、160mΩ、18A X2 级功率 MOSFET 晶体管，带 FRED 二极管。
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc）
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS i4-PAC™
三、产品特征：
低 RDS(ON) 和 QG
快速开关
稳健设计
雪崩额定值
高性能动态快恢复二极管
能动态快速恢复二极管
由串联二极管组成
增强了动态性能，适用于高频