70N10-HG010N10L 高压场效应MOS管TO-252封装散热好抗雪崩能力强

发布时间：2024-6-11 10:48 发布者：HHZHOUQIN

关键词： 70N10-HG010N10L , 散热好 , 抗雪崩能力强

概述

FSMOS®MOSFET基于惠海半导体的器件设计，可实现低功耗RDS（ON）、低栅极电荷、快速切换和优异的雪崩特性。低Vth系列是专门为具有低驱动电压的同步整流系统而优化的。

特征

RDS（ON）和FOM低

低开关损耗

卓越的可靠性和一致性

快速切换和软恢复

应用

PD充电器

电机驱动器

开关电压调节器

DC-DC转换器

开关电源

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