查看: 45|回复: 0

[供应] BTS3035EJ智能低侧电源开关,RFID转发器 ST25DV16KC-JF6D3,EEPROM 存储器M95M02-DWMN3TP/K

[复制链接]
发表于 2024-4-19 15:10:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: BTS3035EJ , ST25DV16KC-JF6D3
明佳达,星际金华 供求 BTS3035EJ智能低侧电源开关,RFID转发器 ST25DV16KC-JF6D3,EEPROM 存储器M95M02-DWMN3TP/K

BTS3035EJ N 沟道 5A 智能低侧电源开关 IC

产品描述
BTS3035EJ 是一款 35 mΩ 单通道智能低压侧电源开关,采用 PG-TDSO8-31 封装,提供嵌入式保护功能。功率晶体管由一个 N 沟道垂直功率 MOSFET 构建。
该器件为单片集成。BTS3035EJ 通过了汽车认证,并针对 12 V 汽车应用进行了优化。

特性
单通道器件
关断状态下输出漏电流极低
静电放电保护 (ESD)
嵌入式保护功能(见下文)
符合 ELV 规范的封装
绿色产品(符合 RoHS 规范)
通过 AEC 认证

应用
适用于电阻电感电容负载
可替代机电继电器、保险丝和分立电路

ST25DV16KC-JF6D3 13.56MHz RFID 转发器 IC UFDFPN-12

产品描述
ST25DV16KC-JF6D3 是 NFC RFID 标签,分别提供 16Kbit 的电擦除可编程存储器 (EEPROM)。这些器件具有两个接口:第一个接口是 I²C 串行链路,可使用直流电源操作;第二个接口是射频链路,当器件作为非接触式存储器使用接收到的载波电磁波时激活。

主要功能
I²C 接口
两线制 I²C 串行接口支持 1 MHz 协议
单电源电压:1.8 V 至 5.5 V
多字节编程(最多 256 字节)
可配置 I²C 目标地址
非接触式接口
基于 ISO/IEC 15693
经 NFC 论坛认证的 NFC Forum 5 类标签
支持所有 ISO/IEC 15693 调制、编码、副载波模式和数据速率
自定义快速读取访问,速度高达 53 Kbit/s
单个和多个区块读取(扩展命令相同)
单块和多块(最多四个)写入(与扩展命令相同)
内部调谐电容:28.5 pF
内存
高达 64 Kbit 的 EEPROM(取决于版本)
I²C 接口访问字节
射频接口访问 4 个字节的块
快速传输模式
I²C 和射频接口之间的快速数据传输
半双工 256 字节专用缓冲器
能量收集
为外部元件供电的模拟输出引脚

M95M02-DWMN3TP/K 汽车级 2 Mbit 串行 SPI 总线 EEPROM 存储器

描述:
M95M02-DWMN3TP/K 是 2 Mbit 串行 EEPROM 汽车级器件,工作温度高达 125°C。M95M02-DWMN3TP/K 符合汽车标准 AEC-Q100 0 级规定的高可靠性要求。
该器件通过一个简单的串行 SPI 兼容接口访问,运行频率高达 10 MHz。

功能特点:
与串行外设接口(SPI)总线兼容
存储器阵列
2 Mbit(256 千字节)EEPROM
页大小:256 字节
按块写保护:1/4、1/2 或整个内存
附加写入锁定页(识别页)
扩展的温度和电压范围
最高 125 °C(VCC 为 2.5 V 至 5.5 V)
时钟频率
105°C 时,VCC ≥ 4.5 V 时为 10 MHz
VCC ≥ 2.5 V @ 125°C 时为 5 MHz
用于噪声过滤的施密特触发器输入
写入周期时间短
字节写入 5 毫秒内
页写入 5 毫秒内
写入周期耐久性
25 °C 时 400 万次写入循环
120 万次写入循环(85 °C
125 °C 时 100 k 次写入循环

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表