英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装,为现代汽车应用提供更高效率

发布时间:2024-4-12 17:56    发布者:eechina
关键词: OptiMOS , SSO10T , 汽车MOSFET
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计,并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此,SSO10T TSC适用于电动助力转向(EPS)、电子机械制动(EMB)、配电、无刷直流驱动器(BLDC)、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。

image003.jpg
PG-LHDSO-10-1-2-3组合

SSO10T TSC的占板面积为5 x 7 mm2,并且基于已确立的行业标准 SSO8(5 x 6 mm2的坚固外壳)。但由于采用了顶部冷却,SSO10 TSC的性能比标准SSO8高出 20%以上,最高可高出50%(具体取决于所使用的热界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10T TSC封装被JEDEC列为开放市场产品,能够与开放市场第二供应商的产品进行广泛兼容。因此,该封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。

SSO10T半导体封装能够实现高度紧凑的PCB设计,减少系统占用空间。它还通过消除通孔降低了冷却设计的成本,进而减少了整体系统成本和设计工作量。同时,该封装还提供高功率密度和高效率,从而支持面向未来的可持续汽车的发展。

供货情况

首批采用SSO10T的40 V汽车MOSFET产品现已上市,分别是:IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。更多信息,敬请访问https://www.infineon.com/cms/en/product/promopages/SSO10T/

本文地址:https://www.eechina.com/thread-855088-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表