[IGBT晶体管] STGB20NB41LZT4，STGB10M65DF2，STGWA75M65DF2，IKW75N60H3（供求）

Mingjiada

STGB20NB41LZT4：采用 D2PAK 封装的 N通道 20A IGBT 晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）：442 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A
功率 - 最大值：200 W
开关能量：5mJ（开），12.9mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：46 nC
25°C 时 Td（开/关）值：1μs/12.1μs
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK


STGB10M65DF2：650V 20A 115W 低损耗 IGBT晶体管
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A
功率 - 最大值：115 W
开关能量：120μJ（开），270μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：28 nC
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/91ns
反向恢复时间 (trr)：96 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK（TO-263）


STGWA75M65DF2：IGBT晶体管，650V、75A 低损耗
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：468 W
开关能量：690μJ（开），2.54mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：225 nC
25°C 时 Td（开/关）值：47ns/125ns
反向恢复时间 (trr)：165 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247 长引线


IKW75N60H3：IGBT晶体管 600V 80A 428W 通孔 PG-TO247-3
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A
功率 - 最大值：428 W
开关能量：3mJ（开），1.7mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：470 nC
25°C 时 Td（开/关）值：31ns/265ns
反向恢复时间 (trr)：190 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3


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（供应，求购）STGB20NB41LZT4，STGB10M65DF2，STGWA75M65DF2，IKW75N60H3 [IGBT晶体管]
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