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SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

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发表于 2023-11-24 16:16:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: SI2319CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。
应用简介:SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET
其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高效率。
优势与适用领域:具有低导通电阻,适用于要求低功率损耗和高效率的领域,如电源开关、稳压和逆变器等模块。


VB2355.png

SI2319CDS-T1-GE3.pdf

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