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SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

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VBsemi

发表于 2023-11-24 16:16:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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关键词： SI2319CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi

SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。
应用简介：SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。
优势与适用领域：具有低导通电阻，适用于要求低功率损耗和高效率的领域，如电源开关、稳压和逆变器等模块。

SI2319CDS-T1-GE3.pdf

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