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SI2301BDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

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发表于 2023-11-21 17:55:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: SI2301BDS-T1-GE , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi



SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:-0.81V;封装:SOT23
应用简介:SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻能够有效减少导通损耗,适用于高效率的电路设计。
常用于电源管理、DC-DC转换等领域,如适配器、电池充电器等。
优势:低导通电阻:具有低的导通电阻,降低功率损耗和热量产生。
可靠性:VBsemi是知名半导体品牌,产品质量可靠。
适用封装:小型SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块:SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要高效率电能转换的模块,如适配器、电池充电器等。
其低导通电阻和小封装适合在有限空间内实现高效能转换。



VB2290.png

SI2301BDS-T1-GE3.pdf

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