RJP020N06T100-VB一款N沟道SOT89-3封装MOSFET应用分析

VBsemi

RJP020N06T100 (VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。
应用简介：RJP020N06T100适用于电源开关和电机控制等应用。
其低导通电阻和高耐压特性使其在高功率场景中表现出色。
适用领域与模块：适用于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块，特别适合高功率要求的场景。