P9006EDG-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

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P9006EDG (VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。
应用简介：P9006EDG适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。
其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。
适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块，特别适合高功率要求的场景。