N3PF06-VB一款P沟道SOT223封装MOSFET应用分析

VBsemi

N3PF06 (VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。
应用简介：N3PF06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻和高耐压特性有助于降低功率损耗和提高效率。
适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块，特别适合要求低功率损耗的场景。