IRLL110TRPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析

VBsemi

IRLL110TRPBF （VBJ1101M）
参数描述：
N沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V)；SOT223
型号参数介绍：
IRLL110TRPBF (VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。
应用简介：IRLL110TRPBF适用于低功率应用，如信号开关和电流控制。
其低导通电阻和低阈值电压有助于降低功率损耗。
适用领域与模块：适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块。