查看: 1010|回复: 0

2V7002KT1G-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

[复制链接]
发表于 2023-10-16 14:41:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi , 2V7002KT1G
2V7002KT1G (VB162K)
参数描述:
N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V);SOT23
型号参数介绍:
2V7002KT1G 参数:N沟道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.6Vth(V), SOT23
应用简介:2V7002KT1G是一款适用于低功率应用的N沟道MOSFET
其适中的电流和低阈值电压使其在电池供电的低功率应用中表现良好。
常用于电子开关、模拟开关等。
优势:静态电流消耗低:适用于电池供电的低功率应用。
适用于电子开关:用作电子开关或模拟开关控制。
适用模块:2V7002KT1G适用于需要低功率控制的模块,如电池供电的传感器模块、开关控制等。

VB162K.png

2V7002KT1G.pdf

279.67 KB, 下载积分: 积分 -1

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表