Everspin MRAM不影响系统性能下取代nvSRAM
发布时间：2023-7-25 17:01
发布者：英尚微电子
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nvSRAM使用传统的捕获电荷技术进行非易失性存储。由于温度和过多的写入周期会导致数据损耗，因此数据可能会泄漏。 Everspin代理英尚微提供的MRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。nvSRAM是通过将标准的6晶体管SRAM与每个单元中的非易失性EEPROM存储元件相结合来构建的。单元的总复杂性为12个晶体管。Everspin MRAM是使用一个简单得多的1晶体管、1磁性隧道结单元构建的。简单的Everspin MRAM单元提高了制造效率和可靠性。 nvSRAM的可靠性不仅取决于存储器芯片，还取决于外部VCAP电容器的质量。必须仔细选择电容器，以确保可靠的功率排序。 MRAM将磁性隧道结技术用于非易失性存储器。数据在高温下不会泄漏，并且在该技术中没有限制读取、写入或电源循环次数的磨损机制。125℃条件下的数据保留期优于20年。 使用MRAM的每次写入都是即时非易失性的，至少持续20年。不存在从易失性存储器单元到非易失性存储单元的数据传输，也不存在外部电容器或备用电池。消除了外部组件、高度可靠的数据保留和35ns SRAM兼容的读/写访问时间，使Everspin MRAM成为在不影响系统性能的情况下取代nvSRAM的可行候选者。 |
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