（供求）MT25QL01GBBB8ESF-0AAT，MT25QU128ABA8E12-0SIT，SCTWA90N65G2V，SCTH90N65G2V-7（元器件）

Mingjiada

一、MT25QL01GBBB8ESF-0AAT：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gbit SPI 133 MHz
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：1Gbit
存储器组织：128M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 105°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC (0.295", 7.50mm 宽)

二、MT25QU128ABA8E12-0SIT：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mbit SPI 133 MHz 24-TBGA (6x8)
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mbit
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-TBGA (6x8)

三、SCTWA90N65G2V：通孔 N 通道 650V 119A（Tc） 565W（Tc） TO-247
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247 长引线
封装/外壳：TO-247-3

四、SCTH90N65G2V-7：表面贴装型 N 通道 650V 116A（Tc） 330W（Tc） H2PAK-7
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3300 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：330W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：H2PAK-7，TO-263-8

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（元器件）MT25QL01GBBB8ESF-0AAT，MT25QU128ABA8E12-0SIT，SCTWA90N65G2V，SCTH90N65G2V-7（供求）
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