器件：5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V（规格信息）

Mingjiada

元器件：5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V（明佳达电子，星际金华供应及回收原装库存器件）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！


5CEBA4F17I7N：嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列）
LAB/CLB 数：18480
逻辑元件/单元数：49000
总 RAM 位数：3464192
I/O 数：128
电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 100°C（TJ）
封装/外壳：256-LBGA
供应商器件封装256-FBGA（17x17）


5M160ZM100C5N：嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件）
可编程类型：系统内可编程
延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns
供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V
逻辑元件/块数：160
宏单元数：128
I/O 数：79
工作温度：0°C ~ 85°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-TFBGA
供应商器件封装：100-MBGA（6x6）


AUIRF5210STRL：表面贴装型 P通道晶体管 100 V 38A
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2780 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），170W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB


SCTWA90N65G2V：通孔 N通道晶体管 650V 119A（Tc） 565W（Tc） TO-247 长引线
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247 长引线

深圳市明佳达电子（星际金华）供求原装库存器件 5CEBA4F17I7N，5M160ZM100C5N，AUIRF5210STRL，SCTWA90N65G2V，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！