（供求）NTMFSC0D9N04CL、NTPF082N65S3F和FCH060N80-F155 N通道MOSFET

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明佳达电子/星际金华 （供求）NTMFSC0D9N04CL、NTPF082N65S3F和FCH060N80-F155 N通道MOSFET，量大价优，如有需求，欢迎联系陈先生。


（1）NTMFSC0D9N04CL单N通道40V 功率MOSFET具有超低漏源导通电阻 (RDS(on))，可最大限度地降低导通损耗。漏极-源极电压 (VDSS) 为40V，栅极-源极电压 (VGS) 为±20V。应用包括：交流-直流和直流-直流电源中的同步整流器、电机开关和负载开关。NTMFSC0D9N04CL N通道MOSFET具有较低的电容和封装电感，采用双面冷却封装。

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：313A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：143 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8500 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：83W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
封装/外壳：8-PowerTDFN
基本产品编号：NTMFSC0



（2）NTPF082N65S3F SuperFET® III MOSFET是650V 40A 高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：82 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3240 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：48W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220F-3
封装/外壳：TO-220-3 整包
基本产品编号：NTPF082



（3）FCH060N80-F155 SuperFET® 功率 MOSFET 是新一代高压 MOSFET 器件，采用了先进的电荷平衡机制，实现了出色的低导通电阻和更低栅极电荷的性能。这种先进的技术经过量身定制，可降低导通损耗、提供出色的开关性能、承受极端 dv/dt 比率和更高的雪崩能量。此器件适用于在交换模式操作下的各种交流/直流电源转换，实现系统的小型化和更高的效率。

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 5.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：350 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14685 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：500W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3
基本产品编号：FCH060

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