RAID系统中理想的Netsol MRAM存储器
发布时间：2023-6-14 17:10
发布者：英尚微电子
关键词：
MRAM , Netsol MRAM
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RAID控制卡的日志存储器存放重要数据，如日志和数据写入完成、奇偶校验写入、错误日志等。在断电的情况下，控制器查询日志内存，以了解从哪里开始恢复。日志内存中的数据即使在断电的情况下，也必须保留。电池供电的SRAM或nvSRAM主要被用作日志内存。MRAM是非易失性存储器，提供快速写入和实时数据存储，是RAID系统最理想的存储器。 MRAM与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座，与nvSRAM不同，无需电容器，保证突发断电时的安全，恢复时间短，长期数据保存（10年），近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数），写入速度快等优点。 英尚提供的 STT-MRAM兼具非易失、几乎无限的耐用、高速度、高密度、低耗等各种优良特性，所以被认为是电子设备中的理想存储器。与现有的静态存储器SRAM、动态存储器DRAM和快闪存储器Flash相比，MRAM性能都足非常优秀的。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。 |
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