Netsol MRAM非易失存储芯片是数据记录应用的优选
发布时间：2023-3-22 17:24
发布者：英尚微电子
关键词：
Netsol MRAM , MRAM
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数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。 –系统内外部发生的事件 –使用历史 –环境参数 –机器状态 –用于分析目的的其他数据 因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。英尚微提供的非易失性存储芯片NETSOL MRAM的主要优势包括:与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座；与nvSRAM不同，无需电容器；写入速度快；近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）；断电即时数据备份。 Netsol MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，是最合适的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。 |
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