1200V碳化硅AIMBG120R080M1、AIMBG120R040M1专为满足汽车行业的高要求而设计。
发布时间：2022-12-13 11:05
发布者：Mindy—mjd
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英飞凌1200V碳化硅AIMBG120R080M1、AIMBG120R040M1专为满足汽车行业的高要求而设计。 概述：1200V碳化硅汽车MOSFET系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。 基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅MOSFET专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。 1200V 开关中最低的门电荷和器件电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗，温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性保证了无扰设计和易于控制的应用设计。 紧凑型SMD外壳D2PAK (PG-TO263-7)实现了客户制造工厂的高度自动化，并进一步降低了系统层面的成本。 产品优势 效率改善 启用更高频率 增加功率密度 减少冷却工作量 降低系统复杂度和成本 应用 车载充电器 DC-DC转换器 规格参数 1、型号：AIMBG120R080M1（AIMBG120R080M1XTMA1） 电压：1200 V 电流：27 A 工作温度：-55 °C ~ 175 °C 封装：PG-TO263-7 2、型号：AIMBG120R040M1（AIMBG120R040M1XTMA1） 电压：1200 V 电流：48 A 工作温度：-55 °C ~ 175 °C 封装：PG-TO263-7 
（回收/供应）AIMBG120R080M1、AIMBG120R040M1 1200V碳化硅汽车MOSFET 深圳市明佳达电子有限公司/深圳市星际金华实业有限公司 （注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！） |
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