DEC1515H-D0-I/Z2，NTMFS4C810NAT1G，NTMFS4C810NAT3G N通道晶体管

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DEC1515H-D0-I/Z2，NTMFS4C810NAT1G，NTMFS4C810NAT3G N通道晶体管

NTMFS4C810NAT1G

说明：
表面贴装型 N 通道 30 V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

产品属性：
FET 类型  N 通道
技术  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  8.2A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）  5.88 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）  18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）  ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  987 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）  750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型  表面贴装型
供应商器件封装  5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳  8-PowerTDFN，5 引线

NTMFS4C810NAT3G

说明：
表面贴装型 N 通道 30 V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

产品属性：
技术  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  8.2A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）  5.88 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）  2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）  18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）  ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）  987 pF @ 15 V
功率耗散（最大值） 750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型  表面贴装型
供应商器件封装  5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳  8-PowerTDFN，5 引线

DEC1515H-D0-I/Z2：
封装：TQFP128
批号：新

星际金华，明佳达 供应 DEC1515H-D0-I/Z2，NTMFS4C810NAT1G，NTMFS4C810NAT3G N通道晶体管！