SRAM与ROM和Flash Memory的区别

英尚微电子

静态SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU内部的cache，都是静态RAM,缺点是内存单元需要大量的晶体管，所以价格昂贵，容量小。SRAM静态随机存取存储器加电时，无需刷新，数据不会丢失，一般不是行列地址复用。

SRAM它是一种半导体存储器。静态是指只要不掉电，存储就存在SRAM中间的数据不会丢失。这与此同时。DRAM不同,DRAM需要定期刷新操作。

我们不应将SRAM与ROM和Flash Memory混淆，因为SRAM它是一种容易丢失的存储器，只有在电源连续供应时才能保持数据。随机访问是指存储器的内容可以以任何顺序访问，无论之前访问的位置如何。

SRAM每个晶体管都存储在四个晶体管中，形成两个交叉耦合反向器。存储单元有两个稳定状态，通常为0和1。此外还需要两个访问晶体管来控制存储单元在阅读或写作过程中的访问。因此存储位通常需要六个MOSFET。使电路结构对称SRAM访问速度要快于DRAM。

SRAM比DRAM访问速度快的另一个原因是SRAM所有地址位置都可以一次接收，而且DRAM使用行地址和列地址复用结构。

SRAM不应该与SDRAM相混淆,SDRAM代表同步DRAM,这与SRAM完全不同。

SRAM也不应该与PSRAM相混淆，pSRAM是一种伪装SRAM的DRAM。