FF08MR12W1MA1B11/FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 [MOSFET半桥模块] FF300R08W2P2B11ABOMA1/FF300R08W2P2B11A

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FF08MR12W1MA1B11/FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 [MOSFET半桥模块] FF300R08W2P2B11ABOMA1/FF300R08W2P2B11A


型号：FF08MR12W1MA1B11 / FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
封装：模块
类型：MOSFET 1200V 半桥模块，碳化硅 MOSFET 模块
特征：

防止寄生导通的高栅极阈值电压 Vth = 4.4 V
IGBT兼容驱动电压VGS=-5V / +15V
具有低反向恢复的本征二极管
低杂散电感 5nH
阻断电压 1200V
低开关损耗
低 Qg 和 Crss
Tvjop=150°C

应用：

汽车应用
混合动力和电池电动汽车
商用、建筑和农用车辆
HV/HV DC-DC 转换器
主逆变器
辅助驱动



型号：FF300R08W2P2B11ABOMA1 / FF300R08W2P2B11A
封装：模块
类型：750V、300A 半桥IGBT模块
特征：

Tvj 运算 = 150°C
低VCEsat
低开关损耗
低电感设计
低 Qg 和 Crss
4.2kV DC 1sec 绝缘
高爬电距离和电气间隙
PressFIT 接触技术
集成 NTC 温度传感器
符合 RoHS 标准

应用：

牵引逆变器
电动汽车 (EV) 动力传动系统
商业、建筑和农用车辆


【供应/求购】
FF08MR12W1MA1B11 / FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 碳化硅 MOSFET 模块，MOSFET 1200V 半桥模块。
FF300R08W2P2B11ABOMA1 / FF300R08W2P2B11A  半桥IGBT模块 750V、300A。
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