（晶体管）IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用紧凑型SMD封装的SiC MOSFET

Mingjiada

型号：IMBG65R039M1H / IMBG65R039M1HXTMA1
封装：SMD 7 引脚
类型：碳化硅 MOSFET 分立器件 - 晶体管，采用紧凑型 SMD 封装的 SiC MOSFET。
说明：IMBG65R039M1H CoolSiC MOSFET 650V 是一款紧凑型 SMD 7 引脚 SiC MOSFET，采用最先进的英飞凌SiC 沟槽技术构建，用于高功率应用。 它经过优化，可实现最大的系统性能、紧凑性和可靠性。


特征：
低 Qrr 和 Qoss
低开关损耗
换向鲁棒快速体二极管
领先的沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性
XT 互连技术可实现一流的热性能
增加雪崩能力
可直接集成到 PCB 中的 SMD 封装
用于优化开关性能的检测引脚


优势：
高性能、高可靠性和易用性
实现高系统效率和功率密度
降低系统成本和复杂性
启用更便宜、更简单和更小的系统
在具有连续硬换向的拓扑中工作
适合高温和恶劣的操作
启用双向拓扑


应用：
服务器
电信
开关电源
太阳能系统
储能和电池形成
UPS
电动汽车充电
电机驱动


【供应/求购】（晶体管）IMBG65R039M1H [IMBG65R039M1HXTMA1] 采用紧凑型SMD封装的SiC MOSFET。
深圳市明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收晶体管：IMBG65R039M1H，IMBG65R039M1HXTMA1。
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