IMBG65R039M1HXTMA1旨在提高系统性能 650V MOSFET
发布时间：2022-8-15 09:39
发布者：Mindy—mjd
关键词：
IMBG65R039M1HXTMA1 , MOSFET
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特征 低 Qrr 和 Qoss 低开关损耗 换向稳健型快速体二极管 先进沟槽技术带来出色的栅极氧化物可靠性 采用 .XT 互连技术，实现卓越的热性能 雪崩能力更强 SMD 封装，可直接集成至 PCB 用于优化开关性能的感测引脚 参数：IMBG65R039M1HXTMA1（IMBG65R039M1H） 电压：650 V 电流：54 A 工作温度：-55 °C ~ 175 °C 功率： 211 W 极性：N 应用：工业 RDS (on) (@ Tj = 25°C) 39 mΩ 概述 IMBG65R039M1H CoolSiC MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。 应用 服务器 电信 开关电源 (SMPS) 太阳能系统 储能和电池系统 不间断电源 (UPS) 电动汽车充电 电机驱动器 以上就是IMBG65R039M1HXTMA1旨在提高系统性能 650V MOSFET全部内容，明佳达电子、星际金华 供求IMBG65R039M1HXTMA1（IMBG65R039M1H）650V MOSFET。 注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！ |
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