LCMXO2-2000HC-4BG256C 规格参数 PSMN4R8-100BSE（功率MOSFET）

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LCMXO2-2000HC-4BG256C 规格参数 PSMN4R8-100BSE（功率MOSFET）


型号：LCMXO2-2000HC-4BG256C
类型：FPGA现场可编程逻辑器件
LAB/CLB 数：264
逻辑元件/单元数：2112
总 RAM 位数：75776
I/O 数：206
电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
安装类型：表面贴装型
工作温度：0°C ~ 85°C（TJ）
封装/外壳：256-LFBGA
供应商器件封装：256-CABGA（14x14）


型号：PSMN4R8-100BSE
类型：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
说明：表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tj） 405W（Tc） D2PAK
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：278 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14400 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：405W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB


【供应/求购】LCMXO2-2000HC-4BG256C，PSMN4R8-100BSE。
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