x
x

SK海力士官宣238层NAND闪存芯片出世

发布时间:2022-8-4 10:34    发布者:eechina
关键词: SK海力士 , NAND , 闪存芯片
来源:智通财经

获悉,世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示,已开发出其最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。

SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。此外,该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

据了解,英特尔(INTC.US)NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm,它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%,仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。

值得一提的是,此前美国竞争对手美光科技(MU.US)在上周宣布,已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。
本文地址:https://www.eechina.com/thread-797480-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • KSZ989x系列交换机应用设计要点培训教程
  • AOE | 时钟与时序(6/7):稳定性与精度的区别是什么?
  • AOE | 时钟与时序(2/7):什么是理想时钟?
  • AOE | 时钟与时序(3/7):什么是时钟相位?
  • 贸泽电子(Mouser)专区
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表