ST推出新款单片整合EMI滤波与静电放电(ESD)防护两种功能的芯片EMIF06-MSD03F3

发布时间:2011-10-31 11:22    发布者:Liming
关键词: EMI , EMIF06-MSD03F3 , ESD , ST
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出新款单片整合EMI滤波与静电放电(ESD)防护两种功能的芯片,为配备SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡槽的手机、平板电脑和3G无线网卡带来独一无二的保护功能。

根据Strategy Analytics关于内置存储卡槽的手机市场预测报告,截至2013年,约5亿部手机将会内置UHS-I 兼容SD卡槽。UHS类存储卡拥有最高2 Terabyte的存储容量,其高速的存储性能可提升用户的使用体验,如直接录制高清视频、播放共享内容或备份数据。

手指触摸手机会产生静电放电现象,这些静电可能会烧毁系统电路,因此卡槽内暴露的针脚须具备静电放电防护功能。为确保系统与存储卡之间的通信速度不受影响,设计人员必须根据特定接口的要求优化EMI滤波器与ESD保护芯片。意法半导体的新款芯片EMIF06-MSD03F3可保护数据速率高达104MB/秒的UHS-I micro-SD存储卡接口。

EMIF06-MSD03F3采用同类产品中最先进的微型封装技术,相较于竞争产品,EMIF06-MSD03F3可支持电信号或机械式卡插入识别,这个特性让设计人员能够自由选用最适合应用设计和主机系统的卡识别方法。新产品还集成了上拉电阻器,当无卡插入时确保系统特性正常;此外还集成了可滤除GSM干扰信号的EMI滤波器。

EMIF06-MSD03F3的主要特性:
·±15kV ESD保护电路(IEC 61000-4-2)
·保护SD卡的全部数据线和电源线
·7pF最大负载电容
·16焊球0.4mm间距片级封装(WLCSP)
·1.54 x 1.54mm微型外廊
·意法半导体独有的IPAD™ 无源有源器件整合技术

EMIF06-MSD03F3采用0.4mm间距WLCSP封装。

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