国产SRAM芯片EMI502NL16VM可替换IS61WV12816EDBLL
发布时间：2021-4-23 16:43
发布者：英尚微电子
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EMI502NL16VM系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。此款国产SRAM芯片可替换ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理支持提供技术支持及样品测试。 特征 ●工艺技术：全CMOS ●位宽：128Kx16位 ●电源电压：2.3V〜3.6V ●低数据保持电压：1.5V（最小值） ●三态输出和TTL兼容 ●标准44TSOP2，48BGA ●工业操作温度 引脚封装  ISSI IS6164WV12816EDBLL是一种高速的2,097,152位静态RAM，以131,072个字乘16位组织。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。IS61WV12816EDBLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP-II和48引脚BGA中。 特征 CMOS待机 •单电源 -Vdd2.4V至3.6V（10ns） -Vdd3.3V±10％（8ns） •完全静态操作：无需时钟或刷新 •三态输出 •高低字节数据控制 •工业和汽车温度支持 •无铅可用 •错误检测和错误纠正 引脚封装  EMI502NL16VM规格书下载 
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