国产SRAM芯片SCLPSRAC1替代微芯23LCV512存储器

英尚微电子

微芯Microchip存储芯片芯片23LCV512是一款容量为512Kbit串行SRAM器件。位宽64Kx8位组织，存储器通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。如果应用需要更快的数据速率，则支持SDI（串行双接口）。SRAM可以通过Vbat引脚由电池供电，从而使SRAM成为非易失性。该器件还支持对阵列的无限读写周期。支持的温度范围-40℃至+85℃。23LCV512采用标准封装，包括8引脚SOIC、PDIP和高级8引脚TSSOP。

国产伟凌创芯（EMI）SRAM芯片SCLPSRAC1可替代微芯23LCV512存储器。

伟凌创芯SCLPSRAC1是一款SPI SRAM静态存储芯片，存储器容量大小为512Kbit。它在内部组织为64K字，每个字8位。该器件采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。

SCLPSRAC1工作温度范围：-40℃~+85℃，电源电压范围2.7V~3.6V，工作电流最大2mA@1MHz，待机电流最大15μA@25℃，具备SPI兼容接口，最大时钟频率20MHz。我司英尚微电子作为伟凌创芯EMI总代理商，可提供样品测试及产品相关技术支持。

串行SRAM是一种独立的易失性存储器，它为您提供了一种简单且廉价的方式来为您的应用程序添加更多ram。这些8引脚低功耗、高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，使其成为涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频、互联网、图形和其他数学和数据密集型应用的理想选择功能。