everspin代理256Mb DDR3自旋转移扭矩STT-MRAM
发布时间：2021-3-5 16:33
发布者：宇芯电子
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EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。 所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 I/O与一对双向选通脉冲（DQS，DQS）同步。该器件使用RAS / CAS多路复用方案，并在1.5V下工作。 特征 •非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3 •支持标准DDR3 SDRAM功能 •VDD = 1.5v +/- 0.075v •高达667MHz fCK（1333MT /秒/针） •页面大小为512位（x8）或1024位（x16） •设备上终止 •片上DLL将DQ，DQS，DQS转换与CK转换对齐 •所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存 •突发长度为8，可编程突发斩波长度为4 •标准10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封装 DDR3 DRAM兼容性 Everspin DDR3自旋扭矩MRAM与JEDEC标准JESD79-3F中定义的DRAM操作的DDR3标准完全兼容，但本数据表中已指出和定义的例外和改进之处。 •自旋扭矩MRAM是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源，已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。 •在某些情况下，命令时间会有所不同。 •DDR3标准适用于高于256Mb的密度，从而导致寻址和页面大小差异。 •突发类型/突发顺序仅支持CA <2：0 = 000或100的连续突发类型。 •当MRAM与本标准之间的功能，时序，参数或条件相同时。 关于Everspin Everspin Technologies，Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒，是设计和制造和商业销售MRAM和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性和低延迟以及安全性至关重要。Everspin MRAM在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。everspin代理宇芯电子提供产品技术支持和产品应用解决方案。 
EMD3D256M08G1-150CBS1.pdf
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