Memory电路设计

发布时间:2021-1-15 14:26    发布者:KT咨询
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岗位职责:
1、负责定制SRAM Instance电路设计,满足High Speed/Low Power/High Density的定制要求;
2、负责SRAM Compiler电路设计及全流程交付;
3、负责晶体管级电路仿真及性能验证并分析Memory的功能、性能;
4、负责指导版图工程师优化版图布局和结构;
5、设计Memory的 verilog功能模型并进行验证;
6、进行IP 特性化分析及模型到硬件的参数校准;
7、负责配合流片后的测试验证。
岗位要求:
1、微电子相关专业本科及以上学历,5年以上Memory设计相关工作经验;
2、熟悉Memory电路设计,包括SRAM/DRAM/Flash/RF/TCAM/ROM等,精通先进半导体工艺制程和器件物理;
3、熟悉EDA仿真工具的使用包括Hspice,Spetre,HSIM,Finesim等等;
4、了解Memory版图;
5、熟悉SRAM Memory良率分析;
6、具备FinFET设计经验者优先;
7、具备Memory Characterization经验者优先;
8、具备标准单元库或模拟电路设计经验可以考虑。
福利:五险一金  员工福利  加班补贴
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