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[供应] PW2308芯片N沟道增强型MOSFET

发表于 2020-12-12 15:22:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一般说明

PW2308采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极充电和低至4.5V的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

特征

VDS=60V，ID=5A

RDS（开）<38mΩ@VGS=10V

提供3针SOT23-3封装

应用

电池保护

负荷开关

自动照明

绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）

代理商：深圳市夸克微科技

郑生： 13528458039

QQ ： 2867714804

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