物联网ram继承PSRAM的积极特性

发布时间:2020-3-30 14:56    发布者:英尚微电子
关键词: 物联网ram , PSRAM , IoT RAM
IoT RAM即是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术,它增加了其他接口选项,例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口,以及SoC需要的易于使用的系统级封装(SiP)选项比内部SRAM更大的内存。

物联网ram继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术,该接口简化了产品设计,与SRAM相比降低了产品成本(降低了10倍),并且与SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM还具有低延迟–允许从超低功耗模式快速唤醒和快速上电时间;也可以从待机模式瞬时唤醒;IoT RAM还允许超低电流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取决于密度。密度越高,固定功率开销趋势就越低。




图1 IoT RAM在需要扩展内存的IoT/嵌入式应用程序中占据了最佳中间地带


由于PSRAM解决了与IoT/嵌入式应用中类似的设计约束,因此可以在功能电话产品中找到一席之地。物联网RAM基于PSRAM并通过低引脚数SPI或SiP选项进行接口,是需要性能,低成本和响应性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解决方案的理想选择。利用低引脚数的SPI接口,可以进一步提高基于MCU/SoC/FPGA的设备的系统成本效率。

AP Memory具有成本效益的IoT RAM解决方案与大多数MCU/SoC/FPGA随附的SPI接口兼容,包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。通过“系统级封装”(SiP)选项,AP内存启用了“超越摩尔”,这是增加系统内存的另一种方法。业界领先的半导体供应商AP Memory授权英尚微电子成为其核心一级代理商,提供的IoT RAM器件具有高速,低引脚数接口,它最适合于低功耗和低成本便携式应用。

AP Memory IoT RAM型号表

DensityPart NumberInterfaceOrganizationData rate (Mbps)Voltage (V)Package
256Mb
APS256xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
128Mb
APS12808x-xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
400
1.8
By request
128Mb
APS12808x-3xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
266
3
By request
128Mb
APS128xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
64Mb
APS6404x-xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
266
1.8
APS6404x-xx-SN/ZR
64Mb
APS6404x-3xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
266
3
APS6404x-3xx-SN/ZR
64Mb
APS6408x-xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
400
1.8
APS6408x-xx-BA
64Mb
APS6408x-3xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
266
3
APS6408x-3xx-BA
64Mb
APS64xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
32Mb
APS3208x-xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
400
1.8
By request
32Mb
APS3208x-3xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
266
3
By request
32Mb
APS32xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
16Mb
APS1604x-xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
288(SDR)/333(DDR)
1.8
APS1604x-xx-SN/ZR
16Mb
APS1604x-3xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
288(SDR)/333(DDR)
3
APS1604x-3xx-SN/ZR


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英尚微电子 发表于 2020-3-30 14:57:17
IoT RAM即是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术,它增加了其他接口选项,例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口,以及SoC需要的易于使用的系统级封装(SiP)选项比内部SRAM更大的内存。
英尚微电子 发表于 2020-3-31 14:12:38
物联网ram继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术,该接口简化了产品设计,与SRAM相比降低了产品成本(降低了10倍),并且与SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM还具有低延迟–允许从超低功耗模式快速唤醒和快速上电时间
英尚微电子 发表于 2020-4-13 16:11:00
物联网RAM基于PSRAM并通过低引脚数SPI或SiP选项进行接口,是需要性能,低成本和响应性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解决方案的理想选择。
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