物联网ram继承PSRAM的积极特性
发布时间:2020-3-30 14:56
发布者:
英尚微电子
IoT RAM即是物联网 RAM,是基于PSRAM技术的技术,它增加了其他接口选项,例如大多数MCU /FPGA 使用的低引脚数Flash SPI接口,以及SoC 需要的易于使用的系统级封装(SiP)选项比内部SRAM更大的内存。
物联网ram继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术,该接口简化了产品设计,与SRAM相比降低了产品成本(降低了10倍),并且与SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM还具有低延迟–允许从超低功耗模式快速唤醒和快速上电时间;也可以从待机模式瞬时唤醒;IoT RAM还允许超低电流 消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取决于密度。密度越高,固定功率开销趋势就越低。
图1 IoT RAM在需要扩展内存的IoT/嵌入式 应用程序中占据了最佳中间地带
由于PSRAM解决了与IoT/嵌入式应用中类似的设计约束,因此可以在功能电话产品中找到一席之地。物联网RAM基于PSRAM并通过低引脚数SPI或SiP选项进行接口,是需要性能,低成本和响应性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解决方案的理想选择。利用低引脚数的SPI接口,可以进一步提高基于MCU/SoC/FPGA的设备的系统成本效率。
AP Memory具有成本效益的IoT RAM解决方案与大多数MCU/SoC/FPGA随附的SPI接口兼容,包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。通过“系统级封装”(SiP)选项,AP内存启用了“超越摩尔”,这是增加系统内存的另一种方法。业界领先的半导体 供应商AP Memory授权英尚微电子 成为其核心一级代理商,提供的IoT RAM器件具有高速,低引脚数接口,它最适合于低功耗和低成本便携式应用。
AP Memory IoT RAM型号表
Density Part Number Interface Organization Data rate (Mbps) Voltage (V) Package 256Mb
APS256xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
128Mb
APS12808x-xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
400
1.8
By request
128Mb
APS12808x-3xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
266
3
By request
128Mb
APS128xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
64Mb
APS6404x-xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
266
1.8
APS6404x-xx-SN/ZR
64Mb
APS6404x-3xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
266
3
APS6404x-3xx-SN/ZR
64Mb
APS6408x-xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
400
1.8
APS6408x-xx-BA
64Mb
APS6408x-3xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
266
3
APS6408x-3xx-BA
64Mb
APS64xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
32Mb
APS3208x-xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
400
1.8
By request
32Mb
APS3208x-3xx
Octal SPI PSRAM
x8 Octal SPI
266
3
By request
32Mb
APS32xx
CellularRAM PSRAM
x16 ADMUX
333
1.8
54ball FBGA
16Mb
APS1604x-xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
288(SDR)/333(DDR)
1.8
APS1604x-xx-SN/ZR
16Mb
APS1604x-3xx
Quad SPI PSRAM
x4 Quad SPI
288(SDR)/333(DDR)
3
APS1604x-3xx-SN/ZR
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