使用ADuM4136 隔离式栅极驱动器和LT3999 DC/DC转换器驱动1200 V SiC电源模块
发布时间：2019-12-10 11:15
发布者：eechina
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作者：Juan Carlos Rodriguez 和 Martin Murnane, ADI公司 简介 电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。 目前最先进的宽带器件，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能，如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗，以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求，例如，，通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。 本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势，这款单通道器件的输出驱动能力高达4 A，最大共模瞬变抗扰度(CMTI)为150 kV/μs，并具有包括去饱和保护的快速故障管理功能。 与Stercom Power Solutions GmbH协作开发，用于SiC功率器件的栅极驱动单元(GDU)展现了ADuM4136 的性能（参见图1）。电路板采用双极性隔离电源供电，其基于使用LT3999 电源驱动器构建的推挽式转换器。此单片式高压、高频、DC/DC转换驱动器包含具有可编程限流功能的1 A双开关，提供高达1 MHz的同步频率，具有2.7 V至36 V的宽工作范围，关断电流<1 μA。 该解决方案采用SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电源模块(F23MR12W1M1_ B11)进行测试，SiC模块提供1200 V的漏源击穿电压、22.5 mΩ典型通道电阻和100 A脉冲漏电流能力，最大额定栅极源极电压为−10 V和+20 V。 本应用笔记评估了该解决方案生成的死区时间，并分析研究GDU引入的总传播输延迟。通过去饱和检测，测试了对SiC器件的过载和短路保护功能。 测试结果表明，该解决方案响应快速。 下载全文： 
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