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[供应] BSR58场效应管参数

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发表于 2019-5-9 14:49:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
  产品型号:BSR58
  商品目录:MOS(场效应管)
  漏源电压(Vdss):40V
  类型:N沟道
  功率耗散(最大值):250mW
  FET类型:N沟道
  电压-击穿(V(BR)GSS):40V
  不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss):8mA@15V
  不同Id时的电压-截止(VGS关):800mV@0.5nA
  电阻-RDS(开):60欧姆
  安装类型:表面贴装
  封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  供应商器件封装:SOT-23-3
  功率-最大值:250mW

  绝对最大额定参数:
  TC=25℃,除非另有说明
  排栅电压:40V
  栅源电压:-40V
  马向前门当前:50
  总功耗Tamb=40°C:250兆瓦
  存储温度范围:-55~150°C
  结温:150°C

  电特性:
  TC=25℃,除非另有说明
电特性.jpg


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