产品型号:BSR58
商品目录:MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss):40V
类型:N沟道
功率耗散(最大值):250mW
FET类型:N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS):40V
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss):8mA@15V
不同Id时的电压-截止(VGS关):800mV@0.5nA
电阻-RDS(开):60欧姆
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
功率-最大值:250mW
绝对最大额定参数:
TC=25℃,除非另有说明
排栅电压:40V
栅源电压:-40V
马向前门当前:50
总功耗Tamb=40°C:250兆瓦
存储温度范围:-55~150°C
结温:150°C
电特性:
TC=25℃,除非另有说明
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