|
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss：DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc. 低压MOS管 AP8205A TSSOP8特点： 双N沟道TSSOP8薄体，密脚的 较小的导通电阻RDS（on） 低栅极电荷，栅极工作电压低至2.5V 根据以上参数，是否对表格有了一定的了解呢？我想一定很简单吧。 银联宝电子技术研发人员为核心的设计团队，成功完成新型工艺为代表MOSFET产品的设计和生产定型，大幅度降低了产品的RDS(ON)，提高客户产品的转换效率，并率先将该类型产品在中国市场推出，产品的相关测试数据均达到欧美同类产品，同样这高温可靠性和稳定性方面表现优越。银联宝电子持续改进，永不止步期待与您一起努力向市场提供，更高性价比产品，共同提升核心竞争力。 银联宝科技是您低压MOS管很好的选择平台，请多多关注银联宝科技官网！
| 
发表于 2018-10-30 17:25:24