国家信息光电子创新中心成立 将推进破解芯片技术难题
发布时间：2018-4-27 09:42
发布者：eechina
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来源：新华社 承载着解决我国信息光电子制造业“关键和共性技术协同研发，实现首次商业化”战略任务的国家信息光电子创新中心26日在武汉烽火科技集团正式挂牌成立。工业和信息化部部长苗圩与湖北省相关领导共同为中心授牌，标志着这个中心全面转入实质性运营阶段，我国光通信行业强“芯”之旅正式起航。 国家信息光电子创新中心致力于汇聚行业优势创新资源，共建信息光电子产业创新平台，聚焦新一代网络、数据中心光互联、5G等信息光电子应用领域，在高端材料生长、核心芯片工艺、先进封装集成等方面突破关键技术和共性技术瓶颈。力争通过3-5年建设，建成国际一流的信息光电子制造业创新平台，推动核心光电子芯片和器件行业供给率超过30%；力争到2025年，实现核心光电子芯片和器件自主可控，打通先进制造技术从基础研究到应用研究、首次商业化和规模化生产的创新链条，促进行业关键共性技术向规模化、经济高效的制造能力转化。 目前，国家信息光电子创新中心依托烽火科技集团领先的芯片平台、光通信技术和网络国家重点实验室两大技术平台，创建了光电芯片工艺平台和光电集成研发平台，形成了从材料生长、芯片后工艺、光子集成、光电集成，到高速系统硬件试验测试的高端工艺和测试技术平台。同时，组建了由10名院士和17名行业专家组成的专家委员会，建立了市场化的项目运作和管理、知识产权归属及技术成果转化机制。 “信息光电子是全球信息通信价值链的高端和关键领域，将在未来光存储、光显示、光互联、光计算，以及未来医疗卫生和航天、国防中发挥重要作用。”国家信息光电子创新中心专家委员会主任委员、中国工程院院士余少华表示，中心将推进“中国制造2025”规划在信息技术产业领域的落地，破解我国信息光电子领域芯片技术难题。 |
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