ST推出新款超结MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管
发布时间：2016-8-17 14:57
发布者：eechina
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意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。 ST推出新款超结MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管 
电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊工艺，这款新封装将引脚间距扩至4.25mm，让电源厂商能够满足现行安全标准，将现场电源故障率降至最低，而无需使用这些附加的防电弧工艺，从而简化了制造过程，提高了生产效率。 在提供优异的防电弧功能的同时，TO-220FP爬电还保留了深受市场欢迎的TO-220FP的出色电特性。此外，相似的外观尺寸还可以简化安装问题，确保符合现有安装流程。 TO-220FP宽爬电间距封装是意法半导体与其客户——韩国知名电源厂商SoluM的合作开发成果。SoluM 正在使用这款优异封装开发稳健性和成本效益高于竞品的电源解决方案。 意法半导体TO-220FP宽爬电功率晶体管目前进入量产准备阶段，支持一家全球主导电视厂商开发新产品。新系列产品包括四款完全达标的600V低导通电阻RDS(ON) MDmesh™ M2 MOSFET晶体管，额定电流8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5产品预计将于2016年第三季度前参加相关认证测试。 详情访问:www.st.com/mosfet. |
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