单片机的扩展RAM读写时序
发布时间：2016-2-24 09:57
发布者：designapp
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摸索了好久，居然忘记了利用部门的示波器好好测测。书上看到的毕竟是理论的东西，实际应用中总会碰上意外的或者说是不可预测的情况，与其在那瞎推理，还不如动手做点实际的工作。 说实话，在所里这几个月工作还没有正式启动，现在还处于所谓的知识储备阶段，所以也没什么机会动动示波器。今天才注意到这家伙是GHz级别的，4通道，捕捉单片机那几个小信号那叫游刃有余，爽哉爽哉，于是乎梦想着哪天自家工作台上也能摆个这玩意～-～，话扯远了，言归正传。 特权同学用的是11.0592MHz的STC89C52做测试，C代码也很简单： #include [color=] #define uchar unsigned char [color=] #define uint unsigned int [color=] uchar xdata LD _at_ 0x7fff; [color=] void delay(uint cnt) [color=] { [color=] uint i; [color=] for(i=0;i [color=] } [color=] void main(void) [color=] { [color=] uchar i; [color=] delay(1000); [color=] while(1) [color=] { [color=] LD = 0x00; [color=] LD = 0xf0; [color=] LD = 0x73; [color=] // i = LD; [color=] delay(1000); [color=] LD = 0xff; [color=] delay(1000); [color=] } [color=] } LD就是扩展的外部RAM变量，地址是0x7fff，也就是说P2的最高位就是CS信号。示波器测试了P0口任意一个数据的变化、CS的变化、WR\RD信号的变化。大体整理了一下，波形基本如下：  另外，我还注意到除了第一次LD读操作需要5个指令周期外(1.085us*5)，以后每次LD读操作都只要3个指令周期(1.085*3)。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图也可以知道CS有效时间其实是一个指令周期(1.085us)。平均3个指令周期完成一次数据传输(所谓的RAM方式读写数据)，这应该是单片机和外部通信的最快速度了。 |
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